|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОЛЕКУЛЯРНО - ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |  |
Номер публикации патента: 2038646 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/208 | | Аналоги изобретения: | 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. Л.Ченга и И.Плога. М.: Мир, 1989, с.233-234. |
| Имя заявителя: | Новочеркасский политехнический институт | | Изобретатели: | Шенгуров В.Г.
Лозовский С.В.
Князев С.Ю.
Шабанов В.Н. | | Патентообладатели: | Новочеркасский политехнический институт |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ молекулярной эпитаксии включает изготовление из пластины монокристаллического легирования кремния источника заданной формы. Затем ведут нагревание источника путем пропускания через него электрического тока до температуры сублимации материала с рабочей стороны источника и эпитаксиальное наращивание на подложке легированного слоя из полученной паровой фазы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента