|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ |  |
Номер публикации патента: 2037911 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1000945, кл. G 01R 31/26, 1983. |
| Имя заявителя: | Новосибирский государственный технический университет,Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Корнилович А.А.
Студеникин С.А.
Булдыгин А.Ф. | | Патентообладатели: | Новосибирский государственный технический университет
Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и полупроводниковых структур, содержащих вырожденный электронный газ пониженной размерности, и может быть использовано для определения концетрации носителя заряда. Сущность изобретения: полупроводниковой образец охлаждают до гелиевых температур, воздействуют на него постоянным магнитным полем с индукцией B и СВЧ-излучением, направленным перпендикулярно исследуемой поверхности образца и параллельно вектору индукци
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента