|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2037909 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3878008, кл. 156-11, 1975. |
| Имя заявителя: | Квурт Леонид Яковлевич (UZ) | | Изобретатели: | Тимофеев Александр Евлампович[UZ]
Квурт Леонид Яковлевич[UZ]
Квурт Александр Яковлевич[UZ]
Финютина Светлана Максимовна[UZ]
Павлов Михаил Юрьевич[UZ]
Топильская Рита Борисовна[UZ]
Путилин Геннадий Захарович[UZ]
Скосырева Надежда Николаевна[UZ]
Сухоруков Юрий Николаевич[UZ]
Христич Анатолий Николаевич[UZ] | | Патентообладатели: | Квурт Леонид Яковлевич (UZ) |
Реферат | |
Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов заключается в нанесении на поверхности полупроводниковой пластины слоя первого металла, на него слоя второго металла и формировании по нему маски резиста для травления разделительных дорожек, причем на верхней и нижней поверхностях пластины формируют разные по конфигурации маски, а затем травлением разделяют пластины на кристаллы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента