|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ |  |
Номер публикации патента: 2035805 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | 1. Клюбина З.Д. и др. Структуры с диэлектрической изоляцией кремния электронной и дырочной проводимости. Электронная промышленность, 1980, вып.8/92-9/93, с.46-48. |
| Имя заявителя: | Арендное предприятие "Кремний" | | Изобретатели: | Сероусов И.Ю.
Матовников В.А.
Бурьба В.В.
Шеин Ю.Ф.
Жилин Л.М. | | Патентообладатели: | Арендное предприятие "Кремний" |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, технологии структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: по способу получения структур с диэлектрической изоляциеи проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния толщиной, превышающей на 11 - 14% глубину рельефа.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента