|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2035802 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4131487, кл. H 01L 21/265, 1979. |
| Имя заявителя: | Свирновский Лев Давидович | | Изобретатели: | Свирновский Лев Давидович | | Патентообладатели: | Свирновский Лев Давидович |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность: геттерирование осуществляют путем создания нарушенного слоя лазерным излучением импульсного или непрерывного характера с рабочей или нерабочей стороны пластины. Нарушенный слой создают в виде растра линий по периметру пластины, при этом линии растра не должны пересекать край пластины.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента