На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2035800 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/26 | Аналоги изобретения: | 1. Патент Японии N 60-42868, кл. H 01L 29/78, 1985. |
Имя заявителя: | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" | Изобретатели: | Воронков Э.Н. Казуров Б.И. Попов И.А. Черноротов Б.П. Огурцов О.Ф. | Патентообладатели: | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" |
Реферат |  |
Использование: в технологии изготовления изделий электронной техники. Сущность изобретения: для повышения стабильности, надежности и улучшения характеристик тонкопленочных резисторов на основе а-Si:H, предназначенных для использования в качестве коммутирующих элементов в жидкокристаллических матричных экранах, проводят облучение ультрафиолетовым излучением с энергией 3 - 5 эВ и дозой 1018-1019 см-2 вблизи поверхности пленки а-Si:H и создают область, в которой уровень Ферми отстоит от зоны проводи
|