|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА - АНТИМОНИДА - ВИСМУТИДА ИНДИЯ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2035799 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/208 | | Аналоги изобретения: | 1. J.K. and M. Gershenson Liquid phase. epitaxial gronth and characterization In As1-x Sbx and In1-y GaySb on (111) BI u Sb Substrates. - J. Electron. Mater., 1981, v.10, N 2, p.379-421. |
| Имя заявителя: | Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова | | Изобретатели: | Акчурин Р.Х.
Жегалин В.А.
Сахарова Т.В.
Уфимцев В.Б. | | Патентообладатели: | Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова |
Реферат | |
Использование: в технологии полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: гетероструктура на основе арсенида-антимонида-висмутида индия включает эпитаксильный слой, содержащий индий, мышьяк, сурьму и висмут при следующем соотношении компонентов, ат.%: индий 50, сурьма 44 - 46, висмут 0,3 - 0,5 и мышьяк - остальное, и подложку антимонида индия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента