|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - ПЛЕНКА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2034365 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | 1. Курносов А.И. и Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1986, с.118-120. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Цыпкин Г.А.
Аглаумов С.Н.
Гуденко Б.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: проводят обработку структур кремний-пленка диоксида кремния с помощью гидростатистического давления 600 - 800 МПа в течение (7-9)103c. Давление поднимают периодически со скоростью 5 - 10 МПа/с, а сбрасывают его до атмосферного с убывающей скоростью, определяемой уравнением v = vo-(n-1)v, где vo = 190 - 205 МПа/с - скорость сброса давления после первого цикла, v = 1 - 3 МПа/с - изменение скорости
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента