На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОИЗОБРАЖЕНИЙ | |
Номер публикации патента: 2032249 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/312 | Аналоги изобретения: | 1. VLSI Electronics: Mikrostrukture Science, Vol.16, Lithography for VLSI, Edited by Norman G. Einspru sh 1987, by Acodemic press. |
Имя заявителя: | Центр "Дока" | Изобретатели: | Смоляницкий И.Я. Щербакова М.Ю. Дьяков Ю.Н. Кононов А.Н. Артемова Н.Д. Шульгин А.А. Вернер В.Д. | Патентообладатели: | Российский научно-исследовательский институт технологий микроэлектроники |
Реферат | |
Назначение: технология микроэлектроники. Сущность изобретения: экспонирование слоя электронорезиста (ЭР) на подложке осуществляют электронным лучом произвольного сечения серией электронных штампов (Ш) за несколько циклов. Набор оптимальной фазы облучения осуществляется малыми порциями при высокой плотности тока луча и обеспечении достаточного для остывания ЭР, используется для облучения других элементов топологического рисунка. Повышение плотности тока луча приводит к снижению времени, затрачиваемого на облучение, несмотря на увеличение общего числа Ш. Дополнительно к разделению, дозы облучения на порции достичь сокращения времени облучения можно за счет оптимального выбора площади сечения луча в плоскости фокусировки. Приведены выражения для расчета оптимальной площади Ш и количества циклов облучения исходя из параметров ЭР и электронно-лучевой установки. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.
|