|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ |  |
Номер публикации патента: 2031481 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | 1. Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1985, с.145. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Баранов Б.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Использование: способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом субмикронной длины с помощью оптической фотолитографии, используемый в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении прибора с помощью оптической литографии для получения зазора субмикронной длины между маскирующими слоями перед нанесением второго маскирующего слоя первый маскирующий слой через окно фоторезистивной маски подвергают анодному окислению на всю его толщину, вытравливают анодный окисел и проводят повторное анодное окисление под маской фоторезистора торца первого маскирующего слоя на заданную толщину, после нанесения второго маскирующего слоя анодный окисел первого маскирующего слоя вытравливают. В качестве материала первого маскирующего слоя используется алюминий, а повторное анодирование маскирующего слоя проводится в режиме получения плотного окисла. 1 з.п. ф-лы, 20 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента