|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ СТРУКТУР ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2029410 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1114248, кл. H 01L 21/268, 1983. |
| Имя заявителя: | Таганрогский радиотехнический институт | | Изобретатели: | Светличный А.М.
Сеченов Д.А.
Агеев О.А. | | Патентообладатели: | Таганрогский радиотехнический институт |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность: для геттерирования структур интегральных схем (ИС) на заключительном этапе изготовления ИС перед изготовлением металлизации проводят нагрев с заданной скоростью нерабочей стороны подложки импульсным некогерентным излучением до образования локальных областей расплава на ее поверхности, рабочая сторона при этом охлаждается. При кристаллизации происходит формирование геттерного слоя, его эффективность определяется температурой и скоростью нагрева. Затем проводят низкотемпературный отжиг некогерентным излучением и химическое травление нерабочей стороны подложки. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента