На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА |  |
Номер публикации патента: 2027253 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/22 | Аналоги изобретения: | 1. Твердые планарные источники для диффузии в технологии проводниковых приборов и ИС "Зарубежная электронная техника", 1982, вып.8 (254), с.60-90. |
Имя заявителя: | Завод "Пульсар" | Изобретатели: | Гусева Лидия Егоровна[RU] Садковская Елена Аркадьевна[RU] Страдымов Альберт Федорович[RU] Богдановский Юрий Николаевич[UA] Гасько Любомир Захарович[UA] | Патентообладатели: | Завод "Пульсар" |
Реферат |  |
Использование: способ изготовления источников для диффузии фосфора в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: способ включает приготовление диффузянта на основе порошка метафосфата алюминия путем добавления к нему порошка пирофосфата циркония в количестве 30 - 50 мас.%, выдержки его при температуре 1040 - 1120°С в течение 20 - 120 мин и охлаждения до комнатной температуры, нанесение диффузанта на термостойкую подложку слоем толщиной 0,4 - 0,8 мкм с последующим отжигом при температуре 1080 - 1170°С в течение 15 - 20 мин, что позволяет повысить температуру эксплуатации до 1100°С и увеличить срок службы источника до 30 ч. 1 табл.
|