На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ p - n - ПЕРЕХОДОВ НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2026589 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1589963, кл. H 01L 31/18, 1989. |
Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Орион" | Изобретатели: | Астахов В.П. Бойков Ю.И. Дудкин В.Ф. Мозжорин Ю.Д. Ниязова А.Р. Рябова А.А. Сидорова Г.Ю. | Патентообладатели: | Научно-производственное объединение "Орион" |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления одно- и многоэлементных приборов на основе узкозонных полупроводников с высокими электрофизическими параметрами. Сущность изобретения: при изготовлении планарных p-n-переходов на антимониде индия проводят подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, наносят маскирующую пленку кремния синтезом из газовой фазы, вскрывают в ней окна для локального введения примесных атомов, проводят диффузию, удаляют маскирующую пленку и стравливают поверхностный слой пластины. 1 табл.
|