|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2025827 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Хорнбек Дж. и др. Захват неосновных носителей тока в кремнии. В кн. Проблемы физики полупроводников. М., Издательство иностранной литературы, 1957, с.627. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт интроскопии Томского политехнического института им.С.М.Кирова | | Изобретатели: | Заитов Ф.А.
Горшкова О.В.
Зыков В.М.
Волков В.Ф.
Киселев А.Н. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт интроскопии Томского политехнического университета |
Реферат | |
Применение: изобретение относится к способам контроля парметров полупроводниковых материалов, используемых преимущественно в электронной промышленности при контроле качества полупроводниковых материалов и полупроводниковых приборов в условиях низких температур. Сущность изобретения: определяют зависимость тока прыжковой проводимости от температуры образца. Облучают образец ионизирующим излучением, генерирующим электронно-дырочные пары, с последующим определением зависимости релаксации тока прыжковой проводимости от времени при постоянной температуре и квазиравновесных условиях. Величину энергии активации прыжковой проводимости, степень компенсации и концентрацию ловушек определяют расчетным путем с использованием полученных зависимостей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента