На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП - ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 2024107

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5012066		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления полевых транзисторов с высокой степенью интеграции. Сущность изобретения: при изготовлении МОП-транзистора после формирования полевого окисла формируют поликремниевый электрод затвора. Для этого на поверхность кремниевой подложки со сформированной стуктурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят первый слой двуокиси кремния, поликристаллического кремния, нитрида кремния, второй слой двуокиси кремния, в которых формируют канавку, соответствующую по форме электроду затвора, а по глубине равную его толщине, поликремниевые стенки канавки термически окисляют, затем со дна канавки удаляют слои нитрида кремния и двуокиси кремния и на их месте формируют подзатворный окисел, после чего наносят слой поликристаллического кремния, равный по толщине электроду затвора, слой поликристаллического кремния планаризуют по уровню верхнего края канавки, поверхность слоя поликристаллического кремния в канавке термически окисляют, затем последовательно удаляют второй слой двуокиси кремния, слой нитрида кремния, слой поликристаллического кремния, первый слой двуокиси кремния, слои нитрида кремния и двуокиси кремния вне электрода затвора, затем формируют области стока и истока методом ионного легирования, удаляют двуокись кремния с поверхности электрода затвора, напыляют слой титана, проводят силицирующий отжиг и химически удаляют непрореагировавший титан. 13 ил.

Вернуться к списку