|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2022399 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/04 | | Аналоги изобретения: | 1. Блихер А. Физика силовых и полевых транзисторов. Л.: Энергоатомиздат, 1986, с.215-216. |
| Имя заявителя: | Клопов Игорь Николаевич | | Изобретатели: | Клопов Игорь Николаевич | | Патентообладатели: | Клопов Игорь Николаевич |
Реферат | |
Изобретение относится к производству мощных полупроводниковых приборов-транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов с высоковольтными p-n-переходами. Сущность изобретения: формируют активные элементы на пластине, разделяют пластины на кристаллы, отбраковывают дефектные структуры, закрепляют крислаллы на временной подложке. Затем утоняют кристаллы до толщины не менее ширины области пространственного заряда высоковольтного p-n-перехода и формируют общий омический контакт для всех кристаллов, а также межсоединение. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента