|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2018992 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Великобритании N 2185350, кл. H 01L 29/78, 1987. |
| Имя заявителя: | Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл" | | Изобретатели: | Красницкий В.Я.
Довнар Н.А.
Смаль И.В. | | Патентообладатели: | Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл" |
Реферат | |
Использование: способ изготовления МДП-транзистора, применяемый в электронной технике и используемый при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП-транзистор создают путем формирования на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости затвора с вертикальными стенками, внедрения ионной имплантацией в пластину по обе стороны от затвора медленно диффундирующей примеси второго типа проводимости, создания слаболегированных исток-стока областей отжигов внедренной при
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента