|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2018193 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Мильбурн Г., Рентгеновская кристаллография, - М.: Мир, 1975, с.56. |
| Имя заявителя: | Институт физики им.Б.И.Степанова АН Беларуси | | Изобретатели: | Яблонский Г.П.
Гладыщук А.А.
Зыкова Т.Л.
Ракович Ю.П. | | Патентообладатели: | Институт физики им.Б.И.Степанова АН Беларуси |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводниковых кристаллов cds. Сущность изобретения: каждую поверхность образца освещают светом, регистрируют спектр экситонного излучения в диапазоне длин волн 482-496 нм и определяют кристаллографическую полярность для высокоомных кристаллов на основе сравнения полуширины линии экситонного излучения каждой из поверхности, а для низкоомных кристаллов -
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента