|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ФОСФИДА ИНДИЯ |  |
Номер публикации патента: 2017269 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/31 | | Аналоги изобретения: | 1. Yamaduchi m., Ando K. Thermal oxidation of Jn Pand properties of oxide films. J.Appl. Phys, 1980, V.51, N 9, p.5007-5012. |
| Имя заявителя: | Миттова Ирина Яковлевна,Пухова Виктория Владимировна,Сошников Игорь Михайлович,Безрядин Михаил Николаевич | | Изобретатели: | Миттова И.Я.
Пухова В.В.
Сошников И.М.
Безрядин М.Н. | | Патентообладатели: | Миттова Ирина Яковлевна
Пухова Виктория Владимировна
Сошников Игорь Михайлович
Безрядин Михаил Николаевич |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, получение диэлектрических покрытий на фосфиде индия. Сущность изобретения: для получения диэлектрического слоя на подложку из фосфида индия наносят пленку сульфида свинца толщиной 50 - 300 нм, затем формируют диэлектрическую пленку обработкой в потоке кислорода. Уменьшается плотность поверхностных состояний на границе раздела фосфид индия- диэлектрик.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента