|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС |  |
Номер публикации патента: 2017265 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | 1. Валиев А. и др. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах. М.: Советское радио, 1971, с.302-303. |
| Имя заявителя: | Кадменский Станислав Георгиевич | | Изобретатели: | Гитлин В.Р.
Ивакин А.Н.
Кадменский С.Г.
Остроухов С.С. | | Патентообладатели: | Кадменский Станислав Георгиевич |
Реферат | |
Использование: технология изготовления многопороговых БИС на МДП-транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления МДП БИС включает в себя операции формирования на кремниевой подложке активных и полевых областей, ионное легирование подзатворной области, формирование поликремниевой разводки, нанесение межслойной изоляции, формирование металлизированной разводки и облучение сформированной структуры рентгеновским излучением.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента