|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ МОЩНОСТИ ДОЗЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2014669 |  |
| Имя заявителя: | Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан | | Изобретатели: | Юнусов М.
Ахмадалиев А.
Бегматов К.А.
Генералова В.В.
Маннанова Х.Х. | | Патентообладатели: | Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая электроника, создание радиационно стойких детекторов мощности дозы гамма- и рентгеновского излучений. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводниковых детекторов мощности дозы ионизирующего излучения на основе монокристаллического кремния p-типа кремниевые пластины последовательно легируют иридием, бором и фосфором, проводят отжиг при температуре 540-560°С в течение 30 - 40 мин с последующим охлаждением со скоростью не более 2 град/мин, затем проводят пайк
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента