|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2012094 |  |
| Имя заявителя: | Коломицкий Николай Григорьевич,Астапов Борис Александрович | | Изобретатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович | | Патентообладатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович |
Реферат | |
Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами полупроводниковых приборов наносят слой металла омического контакта. По этому слою формируют маску фоторезиста по разделительным дорожкам. На свободные участки наносят защитное механическое покрытие, удаляют маску фоторезиста.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента