|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ НИТРИДА БОРА НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА A |  |
Номер публикации патента: 2012092 |  |
| Имя заявителя: | Институт неорганической химии СО РАН | | Изобретатели: | Смирнова Т.П.
Яшкин И.Л.
Храмова Л.В.
Бакланов П.Ю.
Сысоева Н.П.
Амосов Ю.И. | | Патентообладатели: | Институт неорганической химии СО РАН |
Реферат | |
Использование: при изготовлении структур на полупроводниках A3B5. Сущность изобретения: слои нитрида бора получают в результате взаимодействия боразола и гелия в условиях ВЧ-разряда. 1 табл. Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5. Одной из важнейших проблем в технологии изготовления структур на полупроводниках типа А3В5 является улучшение качества границы раздела в структурах металл-диэлектрик-полупроводник.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента