|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОТЕНЦИАЛОВ НА ГРАНИЦАХ РАЗДЕЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2009574 |  |
| Имя заявителя: | Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского | | Изобретатели: | Карпович И.А.
Тихов С.В.
Шилова М.В. | | Патентообладатели: | Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля энергетической диаграммы многослойных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: при контроле высот барьеров на границах раздела гетероструктур, образец помещают в конденсаторную ячейку, освещают его импульсным светом и постоянной подсветкой определенного спектрального состава, измеряют суммарную фотоЭДС на двух барьерах каждого из гетерослоев и по люксвольтовой характеристике этой фотоЭ
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента