На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Номер публикации патента: 2002341

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5026937		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементоа Сущность изобретения: в способе получения структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями и скрытый слой, формируют слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния толщиной на 5 - 100% больше глубины рельефа, на соединяемые сгроны наносят

Вернуться к списку