|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 1825234 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/18 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1347791, кл. H 01L 21/205, 1980. |
| Имя заявителя: | Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола | | Изобретатели: | Воронин В.А.
Губа С.К.
Плахотная Л. |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано для получения многослойных гетероструктур на основе арсенида галлия, используемых при создании СВЧ-приборов. Сущность способа заключается в том, что буферный слой на подложке арсенида галлия формируют путем трех-четырехкратного последовательного наращивания нелегированных областей, каждая из которых состоит из двух подслоев с концентрацией глубоких уровней E12n1= 1012 cм-2 и n2= 1014. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента