|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ |  |
Номер публикации патента: 1820790 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/34 | | Аналоги изобретения: | Клокова Н.П. Тензорезисторы, М.: Машиностроение, 1990, с.224. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Каминский В.В.
Сосова Г.А.
Володин Н. |
Реферат | |
Использование: технология производства компонентов электронной техники, в частности технология производства полупроводниковых тензорезисторов, а также при изготовлении датчиков механических величин. Сущность: немеханическим путем удаляют краевые участки тензочувствительного слоя моносульфида самария, в частности путем обработки в травителе следующего состава: 1 об. ч. концентрированной соляной кислоты, 650 об. ч. 5%-ного водного раствора тиомочевины. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента