Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА

Номер публикации патента: 1819066

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4913751 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/58    
Аналоги изобретения: Акцептованная заявка Японии N 53-17864, кл. H 01L 21/58, 1978. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт электронной техники 
Изобретатели: Арутюнян Е.В.
Бородулина Н.А.
Новиков Б.Б.
Тюлягин В 

Реферат


Использование: технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: при напайке кристалла на никелированную поверхность теплоотвода в вакууме нагрев сборки со скоростью 500 град/мин и откачку камеры начинают одновременно и осуществляют в течение 40-60 с. Охлаждение до 200-250°С осуществляют азотом, а до комнатной температуры - на атмосфере.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"