|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПРОРАБОТКИ ЭЛЕМЕНТОВ ТОПОЛОГИИ |  |
Номер публикации патента: 1797414 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Практическая растровая электронная микроскопия / Под ред. Гольдстейна. М.: Мир, 1978, с.322-400. Рубцов И.Н. и др. Свойства маскирующих пленок в производстве фотошаблонов. М.: ЦНИИ "Электроника", 1975, с.25-34. Практическая растровая электронная микроскопия. / Под ред. Гольдстейна. М.: Мир, 1978, с.113-169. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Кондратьев Ю.П.
Куликов В.А |
Реферат | |
Назначение: изобретение относится к электронной технике и направлено на создание неразрушающего метода контроля качества проработки линий в проводящем маскирующем материале на диэлектрической подложке. Сущность изобретения: сканирование контролируемой линии сфокусированным электронным зондом, регистрация сигнала вторичных электронов, эмитированных из поверхности, сканируемой электронным зондом, формирование видеосигнала на экране электронно-лучевой трубки ЭЛТ и визуальная оценка качества, проработки линии, причем сканирования проводят электронным зондом, падающим по нормали к поверхности, на которой сформирована линия, причем линию ориентируют вдоль направления, параллельного направлению строчной развертки на экране ЭЛТ, и в качестве визуального критерия проработки линии берут большую яркость ее изображения на экране ЭЛТ по сравнению с яркостью изображения окружающего ее зонда от непроработанного маскирующего слоя.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента