|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ СВЧ - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 1649965 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 62-101035, кл. H 01 L 21/306, 1987. Заявка Японии N 57-36742, кл. H 01 L 21/88, 1982. |
| Имя заявителя: | Особое конструкторское бюро при Новгородском заводе им.Ленинского комсомола | | Изобретатели: | Романов Ю.П. |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель - повышение выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией. Для этого при изготовлении транзисторов на поверхности подложки формируют диэлектрическую пленку, вскрывают в ней окна под области базы, легируют их базовой примесью. Затем осаждают кремнийсодержащую диэлектрическую пленку, вскрывают окно к области эмиттера и проводят окисление до получения в окне пленки оксида кремния толщиной 0,08 - 0,12 мкм. Далее вскрывают контактные окна и формируют металлизацию, причем контактное окно к эмиттеру вскрывают путем локального травления термической пленки оксида кремния на поверхности эмиттерной области. Способ обеспечивает создание структурно-совершенной пленки диэлектрика над пассивными участками подножки и сглаженные края контактных окон к активным областям транзистора, что предотвращает возникновение проколов в области изолирующего диэлектриками и обрывов шин металлизации.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента