|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 1628766 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/18 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4642879, кл. H 01L 21/263, 1988. Авторское свидетельство СССР N 1565292, кл. H 01L 21/18, 1988. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Ахинько И.А.
Ильичев Э.А.
Инкин В. |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. Целью изобретения является повышение однородности сопротивления областей истоков и стоков на границе с подложкой. Формирование защитного покрытия на подложке осуществляют посредством низкотемпературного окисления. Однородность толщины покрытия обеспечивается насыщающим характером временной зависимости толщины низкотемпературного термического оксида арсенида галлия. Имплантацию примеси проводят через слой окисла.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента