|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО - ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ |  |
Номер публикации патента: 1579340 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/18 | | Аналоги изобретения: | С.Зи.Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, с.455. Авторское свидетельство СССР N 1266392, кл. H 01L 21/00, 1986. |
| Имя заявителя: | Горьковский государственный университет им.Н.И.Лобачевского | | Изобретатели: | Битюрин Ю.А.
Миронов В.Л.
Петров С.Г.
Чириманов А |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов. Целью изобретения является расширение частотного диапазона генерации и повышение КПД лавино-пролетных диодов. Это достигается тем, что в способе формируют методом лазерного напыления на металлической подложке двухслойную поликристаллическую структуру p-n перехода. Рекристаллизуют ее путем отжига при 400 - 500oС, когда в поле упругих напряжений, возникающих вследствие различных коэффициентов расширения материала подложки и полупроводникового слоя, образуются монокристаллические блоки без нарушения структуры p-n перехода. Затем проводят легирование наружного слоя полупроводниковой пленки для образования структуры ЛПД. Наносят через маску омические контакты.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента