|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРОВКОВ КРЕМНИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 1568803 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | Боншек А.Ю. и др. Морфология поверхности полупроводников при воздействии импульсов лазерного излучения миллисекундой длительности. Поверхность: физика, химия, механика. - 1986, N 5, с. 112-114. Авторское свидетельство СССР N 1457724, кл. H 01 L 21/205, 1987. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО АН СССР | | Изобретатели: | Коляденко С.Н.
Двуреченский А.В |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводникой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на изолирующих аморфных подложках. Цель изобретения -расширение диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощение технологии при сохранении качества крепления на изоляторе. На пластине крепления термическим окислением либо пиролитическим разложением формируют слой двуокиси кремния толщиной 0,3 - 1,5 мкм. На слой двуокиси кремния в реакторе пониженного давления осаждают слой поликристаллического кремния толщиной 0,5 - 2,0 мкм. Из слоя поликристаллического кремния формируют островки с расстоянием между ними 5 - 50 мкм. Для устранения эффекта собирания в капли наносят капсулирующий слой. После этого проводят импульсный рекристаллизационный отжиг с длительностью импульса 1 - 30 мс и плотностью энергии 24 - 100 Дж/см2.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента