На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО - ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 1559983 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | Лукьянчикова Н.Б. Флуктуации неравновесных процессов в полупроводниках. Автореф. диссерт. на соиск. учен.степен.доктора физ.-мат.наук. Киев, 1976, с.39. |
Имя заявителя: | Институт микроэлектроники АН СССР | Изобретатели: | Маковийчук М.И. | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники РАН |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к измерениям электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля дефектности ионно-легированных слоев полупроводника, и частности, при легировании малыми дозами. Цель изобретения - повышение чувствительности и экспрессности измерений, а также повышение их информативности. Особенностью изобретения является совместное измерение разности потенциалов и их флуктуаций типа 1/f за один цикл пропускания тока, определение по ним взаимосвязи слоевого сопротивления и спектральной плотности флуктуаций 1/f, на основании которых судят о дефектности ионно-легированного слоя. 1 табл.
|