|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ДЛЯ СБИС ЗУ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 1559975 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 | | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 60-124948, кл. H 01L 21/76, H 01L 21/95, 1985. 2. Bent G. et al. Remtojule logic circuit using normally of GaAs mcS. j.t.s. Electronics lett, 1977, v.13, n 21, p.644. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Артамонов М.М.
Кравченко Л.Н.
Полторацкий Э.А.
Емельянов А.В.
Ильичев Э.А.
Инкин Б.Н.
Родионов А.В.
Зыбин С.Н.
Ахинько И.А.
Липшиц Т.Л.
Гольдберг Е.Я.
Ш |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия. Цель изобретения - повышение выхода годных путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя aрсенида галлия. Осуществляют формирование канавок для подзатворных областей нормально закрытых транзисторов путем термического окисления областей эпитаксиальных слоев через окна в маске, в будущих местах расположения канавок, на заданную глубину в атмосфере сухого кислорода при 400-600oС с длительностью 5-20 мин с последующим удалением оксида посредством отжига структуры в атмосфере водорода при 600-700oС в течение 10-40 мин. Отжиг также может проводиться в атмосфере смеси водорода и арсина при их относительных расходах 40 : 1-4. Способ позволяет на 50-90% повысить выход годных схем. 1 з.п.ф-лы, 3 табл., 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента