На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С P - N - ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ INAS - INGAAS

Номер публикации патента: 1433324

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4035762		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления омического контакта и сокращение времени изготовления структур. Тыльную сторону исходной подложки из арсенида индия совмещают с поверхностью пластины из инертного термостойкого материала, например сапфира. Лицевую сторону подложки приводят в контакт с насыщенным раствором-расплавом индий-галлий-мышьяк с содержанием галлия 0,01 - 0,06 ат. долей. В процессе изотермической выдержки при температуре 970 - 1030 К капли расплава мигрируют к тыльной стороне подложки. Экспериментально определены условия образования сплошной пленки индия, выполняющего роль омического контакта, на тыльной стороне подложки. Из того же раствора-расплава на лицевой стороне подложки наращивают буферный слой арсенида индия-галлия. Путем замены расплавов формируют p- и n-слои и отделяют структуру от подложки. Достигнуто сокращение времени изготовления структур. Омический контакт формируют до изготовления рабочих слоев структуры в едином технологическом цикле с использованием раствора-расплава для последующего наращивания буферного слоя.

Вернуться к списку