|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВЫХ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 1428108 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | Kuisl M. Stable germanium dioxide films on germanium - Solid Electronics, 1972, v.15, N 5, p.595-597. Патент США N 3431636, кл. H 01 L 21/18, 1971. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Селезнев Б.И.
Нечаев Г.В.
Смолкин В.Б.
Ткаль В |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель - улучшение параметров и повышение выхода годных германиевых планарных транзисторов - достигается за счет того, что после проведения всех высокотемпературных операций по формированию транзисторных структур на поверхности Ge выращивают планку GeO2 толщиной 100  . После этого ее обрабатывают импульсом лазерного излучения длительностью 1 мс с плотностью энергии 6· 104 Дж/м2. Выход годных возрастает на 13%. Основные параметры - обратный ток, коэффициент усиления тока базы, мощности и т. д. - улучшаются на 10-20%. 6 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента