В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.
Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается).
Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"
Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.
Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".
| Код и наименование раздела справочника МПК |
Патенты |
| H01L021/02 .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей [2,8] | [26] |
| H01L021/027 ..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам 21/18 или 21/34[5] | [6] |
| H01L021/033 ...с неорганическими слоями [5] | [1] |
| H01L021/04 ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2] | [2] |
| H01L021/08 ....подготовка пластины основания [2] | [1] |
| H01L021/10 ....предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2] | [1] |
| H01L021/16 ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2] | [1] |
| H01L021/18 ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками [2,6,7] | [11] |
| H01L021/20 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] | [25] |
| H01L021/203 .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2] | [16] |
| H01L021/205 .....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2] | [45] |
| H01L021/208 .....жидкостным напылением [2] | [9] |
| H01L021/22 ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси | [12] |
| H01L021/223 .....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2] | [2] |
| H01L021/225 .....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2] | [10] |
| H01L021/24 ....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2] | [1] |
| H01L021/26 ....воздействие волновым излучением или излучением частиц [2] | [19] |
| H01L021/261 .....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6] | [1] |
| H01L021/263 .....с высокой энергией (21/261 имеет преимущество)[2,6] | [32] |
| H01L021/265 ......с внедрением ионов [2] | [36] |
| H01L021/268 ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2] | [21] |
| H01L021/28 ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20-21/268[2] | [40] |
| H01L021/283 .....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2] | [11] |
| H01L021/285 ......из газа или пара, например способом конденсации [2] | [4] |
Поиск патентов