На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 95108770

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95108770

Реферат

Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: биполярный транзистор, сформированный в изолированной полупроводниковой меза-структуре, содержит области эмиттера, базы и коллектора с низко- и высоколегированными областями и с изолированными и расположенными на нескольких уровнях проводниками. Транзистор дополнительно содержит две изолированные слоем диэлектрика области из легированного поликристаллического кремния. Одна из этих областей расположена в области эмиттера и заглублена в область базы не более, чем на половину толщины области базы, а другая - в областях эмиттера и базы и заглублена в высоколегированную область коллектора не более, чем на половину толщины области коллектора. Расстояние между областями из легированного поликристаллического кремния равно толщине изолирующего слоя диэлектрика. Посредством областей из легированного поликристаллического кремния области базы и коллектора электрически соединены с соответствующими проводниками.

Вернуться к списку