На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКА ДЛЯ ЭКРАНИРОВАНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 94018163 | ![](Images/empty.gif) |
Вид документа: | A1 | Страна публикации: | RU | Рег. номер заявки: | 94018163 |
|
|
|
Имя заявителя: | Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН | Изобретатели: | Колосов В.Н. Гель Р.П. Дроботенко Г. |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к области криогенной техники. Оно предусматривает изготовление сверхповодников для ослабления магнитных и электромагнитных полей, а также для получения магнитного вакуума. В основе его лежат эффект Мейсснера-Оксенфельда и закон сохранения магнитного потока в двусвязных сверхпроводниках. Сущность изобретения заключается в том, что нормальный слой экранирующего сверхпроводника, на который электролизом наносят сверхпроводящий слой на основе ниобия в атмосфере инертного газа, выполняют в виде полой сферы с толщиной, составляющей 0,03-0,20 ее диаметра, при этом сверхпроводящему слою сообщают изотропность относительно силы пиннинга. В качестве материала полой сферы используют медь, молибден, графит, стеклоуглерод. Изотропность сверхпроводящего слоя относительно силы пиннинга может быть достигнута нанесением слоя за два и более циклов электролиза, в промежутках между которыми сверхпроводник извлекают из электролита; проведением электролиза в атмосфере гелия и аргона с механической обкаткой сверхпроводника; проведением электролиза в атмосфере смеси аргона и азота. В качестве сверхпроводящих материалов могут быть использованы Nb, Nb3Sn и NbCх (x=0,97-0,99). Достигаемый технический результат заключается в обеспечении высокой степени ослабления магнитного поля независимо от направления его воздействия, повышении экранируемого объема при минимальном расходе материала сверхпроводника, упрощении процесса изготовления сверхпроводника. Изобретение также решает задачу изготовления экранов для получения магнитного вакуума. 13 з.п.ф-лы.
|