N.GOTHARD et al. Thermal conductivity reduction in fullerene-enriched p-type bismuth telluride composites, Physica Status Solidi A, v.207, 1, 2010, pp.157-162, published online 2009. US 2005/0241689 A1, 03.11.2005. WO 2009/110815 A1, 11.09.2009. US 20080173344 A1, 24.07.2008. EA 13089 B1, 26.02.2010.
Имя заявителя:
федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) (RU)
Изобретатели:
Попов Михаил Юрьевич (RU) Высикайло Филипп Иванович (RU) Буга Сергей Геннадиевич (RU) Бланк Владимир Давыдович (RU) Денисов Виктор Николаевич (RU) Кириченко Алексей Николаевич (RU) Кульбачинский Владимир Анатольевич (RU) Кытин Владимир Геннадиевич (RU) Пивоваров Геннадий Иванович (RU)
Патентообладатели:
федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области наноструктурированных и нанокомпозитных материалов. Одним из основных применений изобретения являются термоэлектрики с улучшенной добротностью. Задачей изобретения является модификация электрических свойств материалов за счет изменения концентрации носителей электрических зарядов в нанокомпозитах. Сущность: нанокомпозитный термоэлектрический материал состоит из нанокристаллов термоэлектрика и распределенных среди них легирующих молекул фуллерена. Концентрацией носителей заряда управляют за счет концентрации вводимых легирующих молекул фуллерена, забирающих электроны из нанокристаллов термоэлектрика и являющихся квантовыми ловушками для электронов. Объемную концентрацию легирующих молекул фуллеренов Kлегир, которые добавляют в нанокомпозитный термоэлектрик, определяют по разности Kнанокомпозит и Kисходная, деленной на среднее число k забранных из нанокристаллов электронов, приходящихся на одну легирующую молекулу фуллерена, а именно: Kлегир=(Kнанокомпозит -Kисходная)/k. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 табл., 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента