Настоящее изобретение касается технологий выращивания и структур устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание III-нитридной структуры на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: структуру, содержащую: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, по существу, свободен от индия; первый, по существу, монокристаллический слой 24, выращенный над данным первым слоем; второй слой 26, выращенный над первым, по существу, монокристаллическим слоем, при этом второй слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; второй, по существу, монокристаллический слой 28, выращенный над вторым слоем 26; третий, по существу, монокристаллический слой, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26; и слои устройства, выращенные над шаблоном, причем слои устройства содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает снижение деформации в данном устройстве, в частности в светоизлучающем слое. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 19 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента