US 4930001 А, 29.05.1990. RU 2371808 С1, 27.03.2009. RU 2003131619 А, 10.04.2005. US 5186379 А, 16.02.1993. US 5393696 А, 28.02.1995. ЕР 0262580 А2, 06.04.1988. JP 5136147 А, 01.06.1993.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Ефимов Валерий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. Сущность изобретения: индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы соединяют две части гибридной микросхемы, которая состоит из первой и второй частей гибридной микросхемы. На внутренних поверхностях первой и второй частей гибридной микросхемы нанесены металлические слои, между которыми расположен слой индия. Внутри слоя индия выполнен слой олова, таким образом, что на интерметаллических границах индий - олово отсутствует индиевая окисная пленка. Техническим результатом изобретения является повышение прочности индиевых микроконтактов за счет исключения индиевой окисной пленки в интерметаллическом соединении микроконтактов, а также упрощение и удешевление технологии изготовления микроконтактов за счет исключения использования слоя золота при их формировании. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента