GB 2268331 A, 05.01.1994. GB 2259809 A, 24.03.1993. JP 63279192 A, 16.11.1988. US 4163240 A, 31.07.1979. US 3982267 A, 31.07.1979. RU 2297015 C1, 10.04.2007. RU 2231809 C2, 27.06.2004. RU 2142147 C2, 27.11.1999.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Амеличев Владимир Викторович (RU) Годовицын Игорь Валерьевич (RU) Мальцев Петр Павлович (RU) Поломошнов Сергей Александрович (RU) Прокопочкин Павел Александрович (RU) Сауров Александр Николаевич (RU) Тихонов Роберт Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного излучения - полупроводниковый прибор для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал содержит высокоомную подложку кремния n-типа проводимости и несколько инжектирующих электродов p-типа проводимости, при этом эмиттеры p-типа проводимости p-i-n-диодного преобразователя нейтронного излучения расположены в виде матрицы на лицевой стороне подложки, а значение длины базы варьируется глубиной травления кремния на обратной стороне подложки, в области между эмиттером и контактом к области n-типа проводимости. Предложенное изобретение позволяет обеспечить у реального изделия широкий диапазон рабочих доз облучения за счет интегрального исполнения кремниевых p-i-n-диодов в виде матрицы на единой подложке с изменяемой длиной области базы и размеров электродов. 5 з.п. ф-лы, 12 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента