Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы III с атомным номером, меньше чем у In (например, В, Al, Ga или Y), х находится в промежутке от 0 до 2, у находится в промежутке от 0 до 1, и m равно 0 или натуральному числу, меньшему чем 6, и при этом аморфный оксид имеет концентрацию электронных носителей не менее чем 1012/см3 и менее чем 1018/см3 и имеет подвижность электронов, которая увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей. Техническим результатом изобретения является предоставление аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования в активном слое транзистора. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента