Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0Х2, 0Y1, и m представляет собой 0 или натуральное число меньше 6, или смесь таких соединений, причем упомянутое аморфное оксидное соединение дополнительно содержит один тип элемента или множество элементов, выбранных из группы, состоящей из Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, P, Ti, Zr, V, Ru, Ge, Sn и F, и упомянутое аморфное оксидное соединение имеет концентрацию электронных носителей в пределах от 1015/см3 до 1018/см3. Техническим результатом изобретения является предоставление аморфного оксида, который функционирует, как полупроводник для использования в активном слое тонкопленочного транзистора. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента