Белый светоизлучающий диод, который может давать излучение в широком диапазоне, охватывающем все видимые области спектра, изготавливают путем газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) путем закрытия квантовых точек (КТ) из нитрида индия (InN) и обогащенного индием нитрида индия-галлия (InGaN) в одной или нескольких квантовых ямах (КЯ) InxGa1-xN/InyGa1-yN путем внедрения зародышей по меньшей мере одного из триметилиндия (ТМИ), триэтилиндия (ТЭИ) и этилдиметилиндия (ЭДМИ), которые служат в качестве ядер для роста КТ в КЯ. Диод способен излучать белый свет в диапазоне 400-750 нм путем регулировки параметров внедрения. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.