

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ

Номер публикации патента: 2369940

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2007121704/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L029/786
Аналоги изобретения:	US 2003/218222 A1, 27.11.2003. JP 2000044236 A, 15.02.2000. J.R.BILLINGHAM et all, Electrical and optical properties of amorfous indium oxide. J. Phys. Condens. Matter. Vol.2, 1990, p.6207-6221. RU 2069417 C1, 20.11.1996. RU 2189665 C2, 20.09.2002.

Имя заявителя:	КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP), ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP)
Изобретатели:	САНО Масафуми (JP) НАКАГАВА Кацуми (JP) ХОСОНО Хидео (JP) КАМИЯ Тосио (JP) НОМУРА Кендзи (JP)
Патентообладатели:	КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP) ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP)
Приоритетные данные:	10.11.2004 JP 2004-326687

Реферат

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 10¹²/см³ до 10¹⁸/см³, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой. Техническим результатом изобретения является получение аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования его в активном слое тонкопленочного транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"