RU 2210838 С2, 20.08.2003. RU 2141149 C1, 10.11.1999. WO 9505679 A1, 23.02.1995. EP 1128422 A1, 29.08.2001.
Имя заявителя:
Лукасевич Михаил Иванович (RU), Петрова Юлия Владимировна (RU)
Изобретатели:
Лукасевич Михаил Иванович (RU) Петрова Юлия Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Лукасевич Михаил Иванович (RU) Петрова Юлия Владимировна (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. В безэпитаксиальной структуре биполярного транзистора, включающей области коллектора, базы и эмиттера в пластине кремния, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, при этом контакты к областям базы и эмиттера осуществляются через электроды из поликристаллического кремния, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы и контакта к коллектору, первую высоколегированную область одного с областью коллектора типа проводимости, расположенную под полевым окислом, окружающим области базы с четырех сторон, вторую высоколегированную область одного с коллектором типа проводимости, располагаемую в коллекторе под областью активной базы, электрод эмиттера сформирован на окисле кремния по типу затвора МОП транзистора, при этом реальный размер области эмиттера определяется величиной торцевого травления слоя окисла кремния под электродом эмиттера, область эмиттера заполнена поликристаллическим кремнием, контакт к базе выполнен с помощью электрода из поликристаллического кремния, а вторая высоколегированная область одного с коллектором типа проводимости размещена только под областями активной базы на участках между областью эмиттера и полевым окислом. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и степени интеграции биполярного транзистора. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента