|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА |  |
Номер публикации патента: 2091911 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L047/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Обзоры по электронной технике. Сер.1: Электроника СВЧ. В. 4 (1008), с. 16. 2. Friscourt M.R., Rolland R.A., Pernisek M. IEEE Electron Device Zetters, v. EDL-6, N 10, October, 1985, RP. 497 - 499. 3. Патент Великобритании N 1514240, кл. H 01 L 47/02, 1978. |
| Имя заявителя: | Каневский Василий Иванович[UA] | | Изобретатели: | Каневский Василий Иванович[UA]
Сухина Юрий Ефимович[UA]
Пономаренко Анатолий Александрович[UA] | | Патентообладатели: | Каневский Василий Иванович[UA]
Сухина Юрий Ефимович[UA]
Пономаренко Анатолий Александрович[U |
Реферат | |
Использование: в радиотехнической аппаратуре для генерирования СВЧ колебаний. Сущность изобретения: в высокочастотном приборе на эффекте Ганна область катода, инжектирующая ток, выполнена в виде локальных гетероинжекторов последовательно состоящих из металла с большей шириной запрещенной зоны, чем у материала n - GaAs, AlxGa1-xAs с постоянным значением параметра x, контактирующего, с одной стороны, с материалом n - GaAs и образующего с ним резкий гетеропереход, а с другой стороны, контактирует со слоем AlxGa1-xAs с убывающим значением параметра x к нулю в направлении к слою n++ - GaAs - типа проводимости со стороны катодного контакта, причем слой с линейно изменяющимся значением параметра x AlxGa1-xAs находится между слоем материала AlxGa1-xAs с постоянным значением параметра x и имеет с ним одинаковое значение параметра x на границе контактирования, и слоем n++ - GaAs - типа проводимости. Гетероинжектор окружен областью, ограничивающей инжекцию тока, выполненной в виде обратно смещенного барьера Шоттки. Параметр x выбирается из условия: 0 < x≅ 0.23, а энергия ε, набираемая носителями на длине гетероижектора удовлетворяет следующему соотношению: ε ≅ &Dgr;ГL, где &Dgr;ГL - энергетический зазор между Г и L долинами GaAs. Концентрация носителей в слое n+ - типа удовлетворяет следующему соотношению: n < n+ < n++, где концентрации n++, n выбираются из следующих условий: 8·1017 ≅ n ≅ 5·1018, см-3 3·1015 ≅ n ≅ 1,4·1016, см-3. Локальные гетероижекторы выполнены в виде цилиндрических областей, направленных вглубь полупроводникового материала, причем основания цилиндров лежат в плоскости катодного контакта прибора, а их образующая перпендикулярна плоскости катодного контакта. 3 з.п. ф-лы. 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента